Память

Память.
Введение
B.1. Энергозависимая и энергонезависимая память
Полупроводниковая память.
B.2. SRAM и DRAM.

B.2.1. Триггеры.
B.2.2. Элементная база логики.
B.2.3. SRAM. Замечания.
B.2.4. DRAM. Что это такое?
Конструктивные особенности.


B.3.1.1. DIP.
B.3.1.2. SIPP (SIP) —модули памяти.
B.3.2. SIMM-модули.
B.3.2.1. Сравнение SIMM-модулей.
B.3.2.2. Причины повышения скорости работы EDO RAM.

B.3.3.DIMM
B.3.3.1. SDRAM.
B.3.3.2. ESDRAM.
B.3.3.3. SDRAM II.
B.3.3.4. SLDRAM.
B.3.3.5. Память от Rambus (RDRAM, RIMM).

Память

C.1. Постоянное запоминающее устройство.
C.2. Флэш-память.
C.3. CMOS-память.
C.4. Недостатки перезаписываемой памяти.
C.4.1. Потеря данных в CMOS.

C.4.2. Потеря данных в flash-памяти.

Память

D.1. Область ПЗУ
D.3. Распределение памяти в компьютерах Apple Macintosh.
D.3.1. Адресация старших и младших байт в адресе.
D.3.2. Формирование логического (линейного) адреса.
D.3.3. Карта памяти компьютера Apple Macintosh.
D.2. Распределение (карта) памяти шиноцентричных Intel-совместимых компьютерах.
D.2.1. Базовая память.
D.2.1. Базовая память. - 2
D.2.3.1. Зоны в расширенной памяти.
D.2.3.2. Зона теневого BIOS.

D.2.3.3. Зона микропроцессора Weitek.

Память

E.0. Сегментная организация памяти
E.0.1. Базовые адреса и формирование линейных адресов.
E.0.2. Особенности сегментации памяти в микропроцессоре i8086 (итоги).
E.1. Сегментация памяти в защищенном режиме.
E.1.1. Дескрипторные таблицы.
Глобальная дескрипторная таблица (GDT).
Дескрипторная таблица прерываний (IDT).
Локальная дескрипторная таблица (LDT).
E.1.2. Селекторы.
E.1.3. Формирование линейного адреса.

E.1.4.Формат дескрипторной таблицы.
E.2. Страничная организация памяти. Виртуальная память.
E.2.1. Структура страниц.
E.2.2. Формирование адреса при страниvчном преобразовании.
E.3. Особенности страничной организации памяти в микропроцессоре Motorola MC68030.
E.4. Уровни защиты.
E.4.1. Четырехуровневая система привилегий в микропроцессорах с архитектурой x86.
E.4.2. Передача управления между уровнями привилегий.
E.4.2.1. Подчиненные сегменты кода.
E.4.2.2. Шлюзы вызова.

Память

F. Общие рекомендации по выбору памяти.

F.1. Для чего может быть понадобиться дополнительная память?
F.2. На что следует обращать внимание при покупке памяти.
F.3. Обозначение микросхем памяти.
Что делать, если память не устанавливается и не работает?

Память

НАСТРОЙКА ПАМЯТИ
Оглавление
Введение.

---